Soitec (Paris: FR0004025062 - actualité) , premier fabricant mondial de substrats innovants utilisés en micro-électronique, annonce ce jour la qualification de sa plate-forme de plaques SOI ultraminces (UTSOI) de taille 300 mm. Ces plaques sont ainsi prêtes pour les applications sur substrat FD (Fully Depleted) prévues dans le cadre des programmes de développement de la technologie CMOS au noeud 22 nm et au-delà. Soitec a introduit sa plate-forme de plaques UTSOI 300 mm, fabriquées avec la technologie Smart Cut brevetée par Soitec, lors du salon SEMICON West de l'année dernière.

Depuis, la société travaille activement à l'amélioration de ses produits, à l'optimisation des processus et à des qualifications en interne et auprès de clients.

Dernière avancée en date, Soitec est désormais en mesure de fabriquer des plaques SOI avec une couche de silicium active extrêmement mince (20 nm) dont l'épaisseur affiche plus ou moins ± 5 Å (angstroems) en forts volumes et avec un rendement élevé. Les paramètres spécifiques du substrat SOI final peuvent être adaptés aux applications de chaque client, la fabrication affichant les mêmes rendements et les mêmes coûts qu'avec l'actuelle génération de plaques SOI génériques.

Disponible depuis plusieurs années, la technologie SOI FD (Fully Depleted) était essentiellement utilisée dans des applications de niche. Aujourd'hui, les leaders industriels reportent les avantages des substrats SOI FD sur les applications génériques. "Avec les substrats SOI FD, nous avons réalisé des transistors à grille métallique et diélectrique "high-K" 25 nm dont les caractéristiques d'adaptation sont nettement supérieures à celles du silicium massif ("bulk")", explique Olivier Faynot, Directeur en charge du développement des technologies SOI avancées au CEA-Leti. "En éliminant la nécessité de doper la zone du canal, le substrat SOI FD résout les problèmes de variabilité de la tension de seuil (Vt) pour les noeuds actuels et futurs tout en maintenant d'excellentes caractéristiques Ion et Ioff et en réduisant de façon considérable le courant de fuite de la grille. Grâce à ce substrat SOI à couche uniformément ultra-mince, Soitec propose une solution qui améliore sensiblement le contrôle de la tension de seuil Vt des circuits CMOS".

"Les substrats UTSOI constituent une fondation solide pour les circuits planar et ultra-minces, de sorte que les concepteurs peuvent réduire considérablement la consommation d'énergie et le courant de fuite sans pénaliser les performances. Ces substrats simplifient l'architecture CMOS, ce qui abaisse le coût total d'utilisation ("Cost of ownership") à un niveau inférieur aux approches sur silicium massif ("bulk" )", déclare Paul Boudre, Directeur Général Délégué de Soitec. "Nous sommes prêts à aider nos partenaires à affiner leurs processus de fabrication pour répondre aux exigences d'uniformité et tirer une valeur maximale de ces couches ultra-minces".